Procesori bez silīcija – 40% ātrāki un 10% energoefektīvāki

Pekinas Universitātes pētnieki ir izstrādājuši tranzistoru bez silīcija, izmantojot bismuta oksiselenīdu, kas nodrošina ātrāku elektronu kustību un attiecīgi lielāku iespējamo jaudu. Šis dizains sola līdz pat 40% lielāku ātrumu un 10% mazāku enerģijas patēriņu salīdzinājumā ar silīcija mikroshēmām, iespējams, revolucionizējot mikroprocesoru efektivitāti un veiktspēju.

Kā tas ir iespējams? Bismuta oksiselenīda īpašības ļauj elektroniem pārvietoties ātrāk, un vadošais pētnieks Heilins Penga norāda, ka esošās samazināto nm tehnoloģiju inovācijas mikroshēmās ar esošajiem materiāliem uzskatāmas par ceļa saīsināšanu, tad jaunie izstrādātie tranzistori no divdimensionāliem materiāliem ir kā vēl viena josla klāt papildu satiksmei.

Pašlaik tranzistors bez silīcija vēl atrodas izstrādes stadijā un nav pat tuvu masveida ražošanai, pētniekiem vispirms jāpārliecinās, vai jauno tehnoloģiju ir iespējams ražot masveidā un patiesi sacensties ar Intel, AMD un Arm bāzētiem procesoriem.