Uzņēmums Apple visai nopietni uzsācis ceļu uz savu kameras sensoru izveidi, kas tiks izmantoti iPhone viedtālruņus un piedāvās plašu dinamisko līmeņu diapazonu.
Iepriekšējā mēnesī uzņēmums iesniedza jaunu patentu ar nosaukumu Image Sensor With Stacked Pixels Having High Dynamic Range And Low Noise.Tajā tika aprakstīta uzlabota sensoru arhitektūra, kas apvieno silīcija grēdu, vairākus gaismas uztveršanas līmeņus un mikroshēmā iebūvētus trokšņu slāpēšanas mehānismus. Risinājums ļaus sasniegt līdz pat 20 dinamiskā diapazona pakāpēm.
Salīdzinājumam cilvēka acij šis diapazons ir no 20 līdz 30 pakāpēm, bet lielākā daļa telefona kameru ir spējīgas sasniegt no 10 līdz 13 pakāpēm. Tas nozīmē, ka Apple radītais sensors, sasniedzot apsolītos tehniskos rādītājus, spētu sacensties ar profesionālām kino filmēšanā izmantotām kamerām.
Viena no svarīgākajām sensora uzbūves sastāvdaļām ir sistēma, kas vienā attēlā katram sensora pikselim ļauj uzglabāt atšķirīgu gaismas daudzumu atkarībā no spilgtuma. Tādējādi sensors var apstrādāt ārkārtīgi lielas apgaismojuma atšķirības, piemēram, cilvēku, kas stāv pie spilgta loga, nezaudējot detaļas ēnās vai izgaismotajās vietās.
Kaut arī šis ir tikai patents, Apple pusē jau notiek aktīvs darbs pie konkrētā sensora izstrādes. Tas nozīmē, ka tas salīdzinoši tveramā laika posmā varētu nonākt nākotnes iPhone viedtālruņos. Protams, tas ir kārtējais solis, lai Apple nevajadzētu paļauties uz citu zīmolu komponentēm, jo šobrīd kameras sensorus uzņēmumam piegādā Sony.
Mmm, vairāki gaismas uztveršanas līmeņi man uzreiz atgādināja Sigma izstrādātās 3 slāņu Foveon matricas, kas sniedza tiešām teicamus rezultātus. Ja iPhone iet šajā virzienā, es esmu par!
Nevajag Henrija lietotos terminus uztvert burtiski. Nez, vai Sigma nebūtu patentējusi Foveon sensoru.
Tāpat fotogrāfi dinamisko diapazonu mēra stopos, Henrijs – pakāpēs, tādēļ iesaku lasīt un ja interesē, skatīties pirmavotu angliski.
Sajā gadījumā, manuprāt, runa par uzlabojumiem…shēmtehnikas? līmenī.
In the context of CMOS image sensors, “3T” and “4T” refer to the number of transistors used in the pixel circuit. A 3T pixel includes a photodiode, reset transistor, source follower, and row select transistor. A 4T pixel adds a transfer transistor to the 3T structure, allowing for better noise performance and other benefits
The large majority of image sensors currently in use are CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) active-pixel sensor (APS) monolithic arrays, with 4T pixels. In these devices, each detector element (referred to as a “pixel”) comprises a photodiode, a floating diffusion, and four CMOS transistors, including a transfer gate, reset gate, selection gate, and source-follower readout transistor. The transfer gate controls charge transfer from the photodiode to the floating diffusion and enables noise reduction by correlated double sampling (CDS). Image sensors using 3T pixels, without the transfer gate, are easier to fabricate and less prone to artifacts, but generally suffer from higher noise.
Tāpat
Šādus rakstus pirms publicēšanas jādod pārbaudīt tiem, kas labi pārzina tēmu. Tulkot tos ir diezgan grūti. Piemēram, vai tiešām pikselis (fotodiode) gaismu ņem un glabā, nevis tikai uztver, ar secīgu fotonu pārveidošanu?