Ikgadējā Hot Chips konferencē Samsung palielījies ar 512 GB DDR5 operatīvo atmiņu moduļiem, kas ir pamatīgs solis virs tā, ko šobrīd varam sagaidīt no DDR4, kur maksimums ir 256 GB.
Samsung DDR5 operatīvo atmiņu moduļi darbojas ar 1.1 V un DDR5-7200 taimingiem, lai arī JEDEC vēl nav izziņojis oficiālu DDR5-7200 standartu, tiekot tikai līdz DDR5-6400.
Lai nodrošinātu augstākus datu pārraides ātrumus, Samsung ieviesis DFE (Decision Feedback Equalizer), kas nāk talkā, lai uzlabotu signāla stabilitāti un iespēju kalibrēt katru RAM ligzdas kontakta darbību atsevišķi.
Viens no lielākajiem DDR5 plusiem tiek minēta on-die ECC (ODECC) funkcionalitāte, kas iebūvēta DDR5, bet vēl arvien īstam ECC (Error-Correcting Code) nāksies izmantot papildu fiziskas atmiņas. ECC atmiņa, kas pazīstama arī kā paritātes atmiņa, ir datu krātuve, kas paredzēta iekšējo datu bojājumu vai datu kļūdu noteikšanai un labošanai.
Kombinācijā ar nepārtrauktās barošanas avotu OS varētu uzreiz instalēt RAM atmiņā 🤔
https://youtu.be/MK1OPc3k_cQ
Vietas jau būtu gana, bet tad SSD var iet pensijā!